La expresión general para la pendiente subumbral
pendiente subumbral
La pendiente del subumbral es una característica de la característica corriente-voltaje de un MOSFET. En la región del subumbral, el comportamiento de la corriente de drenaje, aunque está controlado por el terminal de puerta, es similar a la corriente decreciente exponencial de un diodo con polarización directa.
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Pendiente subumbral – Wikipedia
(oscilación) es S= (d(log10Ids)/dVgs)-1. O de la gráfica anterior, con Vgs muy bajos, tome la derivada de los valores logarítmicos de Ids con respecto a Vgs y luego invierta el valor resultante.
¿Qué se entiende por columpio subumbral?
La oscilación del subumbral se define como el voltaje de puerta requerido. para cambiar la corriente de drenaje en un orden de magnitud, uno. década. En el MOSFET, la oscilación del subumbral es limitada. a (kT/q) ln10 o 60 mV/dec a temperatura ambiente, y con.
¿Qué es el factor de pendiente subumbral?
La pendiente del subumbral es una característica de la característica corriente-voltaje de un MOSFET. Una dec (década) corresponde a un aumento de 10 veces de la ID de corriente de drenaje. Un dispositivo caracterizado por una pendiente subumbral empinada exhibe una transición más rápida entre los estados apagado (corriente baja) y encendido (corriente alta).
¿Cuál es la importancia de la oscilación subumbral?
La oscilación del subumbral es un parámetro importante en el modelado del régimen de inversión débil, especialmente para aplicaciones analógicas de alta ganancia, circuitos de imágenes y aplicaciones de bajo voltaje.
¿Cómo varía la corriente subumbral con el voltaje de puerta?
Esa reducción significa que el voltaje de la compuerta oscila menos por debajo del umbral para apagar el dispositivo, y como la conducción por debajo del umbral varía exponencialmente con el voltaje de la compuerta (ver MOSFET: Modo de corte), se vuelve cada vez más significativo a medida que los MOSFET se reducen de tamaño.
¿Qué es la corriente de fuga de puerta?
Corriente de fuga debida al descenso del drenaje inducido por la compuerta (GIDL) Cuando hay un voltaje negativo en el terminal de la compuerta, las cargas positivas se acumulan justo en la interfaz óxido-sustrato. Debido a los agujeros acumulados en el sustrato, la superficie se comporta como una región p más fuertemente dopada que el sustrato.
¿Los MOSFET tienen corriente de fuga?
La respuesta es no. En Vgs